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浙江MOS管无效的几大原因分析

发布时间:2021-08-15 03:00:00来源:http://zj.szhxwdz.com/news665530.html

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MOS管无效的几大原因分析:

山崩无效(工作电压无效):也就是大家常说的漏源间的BVdss工作电压超出MOS管的额定电流,而且超出做到了一定的工作能力进而造成MOS管无效。

栅极工作电压无效:因为栅极遭到出现异常工作电压顶峰,而造成栅极栅氧层无效。

静电感应无效:在秋冬季时节,因为身体及机器设备静电感应而造成的器件无效。

MOS管,MCU芯片
串联谐振无效:在串联应用的全过程中,栅极及电源电路寄生参数造成波动造成的无效。

体二极管无效:在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的网络拓扑结构中,因为体二极管遭到毁坏而造成的无效。

SOA无效(电流量无效):既超过MOS管安全工作区造成无效,分成Id超过器件规格型号无效及其Id过大,耗损过高器件长期热累积而造成的无效。

海翔微电子科技有限公司专业提供浙江海尔单片机、浙江松翰单片机、浙江东软单片机、尼克森Mos管等产品,公司经过多年发展,能为客户定做各种要求的电子产品,同时我们还提供成熟的智能手环、蓝牙车充、蓝牙灯、移动电源,小家电控制板等诸多方案,欢迎来电咨询!

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